全 SiC 功率模块

  • 概述
  • 相关产品
  • 相关应用
  • 工作原理
  • 联系我们

#SiC 功率模块的不二之选

世界工业进程正在迅速发展,对创新和可靠技术的需求也不断提升。未来的技术要求与现在不会相同。 

SiC 为系统层面的成本、规模和性能改进注入了许多可能性。对于高开关频率的应用尤为如此。然而,SiC 的运用还伴随着多个挑战,需要顶尖的封装技术作为支持。

为了将 SiC 的特性发挥到最佳,需要:

定制化、低电感封装以及引脚布局,使高切换频率得以实现

先进焊接与连接技术 (Danfoss Bond Buffer®) 

直接液体冷却技术 (ShowerPower®)

常见问题与解答

SiC 功率模块的设计可能充满挑战。为了克服这些挑战,电气、热力和机械设计方面的丰富经验是关键。利用我们经过验证的 SiC 追踪记录,与我们的应用专家合作,将您的 SiC 应用推至更高水平。 

  • 最高效率
    SiC 可降低开关损耗,实现最高效率。

  • 功率密度
    高开关频率、最小化损耗和最大化效率相结合,可实现卓越的输出功率和功率密度。

  • 降低整体系统成本
    开关频率的增加意味着可以大大减少无源滤波器元件的数量。同时,这降低了功率损耗,从而减少了散热器的面积,减少了整体的冷却需求。这两个优势大幅降低了总体系统成本。

碳化硅具有许多优点,但其技术设计也存在几个挑战需要克服。


电气设计挑战

  • 直流杂散电感
  • 多个芯片并联
  • 寄生导通(高 dv/dt)
  • 栅氧化层可靠性

热设计挑战

  • 最低的 Rth 值
  • 最低的压降
  • 平行冷却

机械设计挑战

  • 高温
  • 功率循环能力
  • 端子和连接器

SiC 功率模块的典型应用包括:

  • 电源供应
  • 电动汽车充电器
  • 太阳能逆变器
  • 电机驱动器
  • 储能
  • 电动汽车
  • 选择我们的专利技术,可以将碳化硅的性能发挥到最佳 
  • 经过验证的 SiC 应用追踪记录
  • 德国慕尼黑的世界级 SiC 研发中心
  • 您可按需选择芯片 我们完全兼容

相关产品

IGBT 功率模块

丹佛斯 IGBT 功率模块

丹佛斯工程师定制 IGBT 模块,完全贴合您的应用需求。

相关应用

工作原理

丹佛斯碳化硅

SiC 功率模块 — 工作原理

了解更多有关 SiC 功率模块的基本概念及其工作原理,以及为什么在特定应用中首选 SiC。

联系我们

如需了解更多信息,请联系我们